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拋光是指利用機械、化學或電化學的作用，使晶圓等工件表面粗糙度降低，以獲得光亮、平整表面的加工方法。是利用拋光工具和磨料顆?；蚱渌麙伖饨橘|對工件表面進行的修飾加工。拋光·Si，GaAs，GaN，InP，玻璃，藍寶石，陶瓷等表面粗糙度·1-50nm
通常在晶片封裝前，需要對晶片背面多余的基體材料去除一定的厚度，這一工藝過程稱之為晶片減薄。在后道制程階段，晶圓（正面已布好電路的硅片）在后續劃片、壓焊和封裝之前需要進行背面減薄加工以降低封裝貼裝高度，減小芯片封裝體積，改善芯片的熱擴散效率、電氣性能、機械性能及減小劃片的加工量。減薄·Si，GaAs，GaN，I
打孔”可以適用于各種材料的微孔，應用于LED芯片制造，觸摸屏，LCD，消費類電子，半導體，MEMS，照明，醫療等行業等。中慧芯提供玻璃、金屬片、硅片、半導體、芯片打孔等微孔打孔加工服務。打孔·各種材質·微米級孔徑提供玻璃、金屬片、硅片、半導體、芯片打孔等微孔打孔加工服務。
切割有時也叫“劃片”，是芯片制造工藝流程中一道不可或缺的工序,在晶圓制造中屬于后道工序。切割的目的是將整個晶圓上每一個獨立的IC/MEMS通過激光或者高速旋轉的金剛石刀片切割開來，以便在后續的封裝中對單個IC／MEMS進行粘貼、鍵合等操作。激光切割·硅基底·厚度100-700μm·晶圓尺寸：2寸、4寸、6寸、8寸刀片切割·Si
摻雜是將一定數量和一定種類的雜質摻入硅中，并獲得精確的雜質分布形狀，可用來改變晶片電學性質，實現器件和電路縱向結構。包含擴散、離子注入等方式。高溫擴散是利用高溫驅動雜質穿過硅晶體結構。離子注入是通過高溫離子轟擊，使雜質注入硅片，雜質通過與硅片發生原子級的高能碰撞，才能被注入。產品介紹·金屬有機物化學
鍵合將兩片表面清潔、原子級平整的同質或異質半導體材料經表面清洗和活化處理，在一定條件下直接結合，通過范德華力、分子力甚至原子力使晶片鍵合成為一體的技術。中慧芯掌握陽極鍵合、共晶鍵合、膠鍵合等多種鍵合技術。陽極鍵合·適用于硅片與玻璃，金屬與玻璃、半導體與合金、半導體與玻璃間的鍵合共晶鍵合·適用于PbSn，
刻蝕是用化學或物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要的材料的過程，它是通過溶液、反應離子或其它機械方式來剝離、去除材料的一種統稱?？涛g技術主要分為干法刻蝕與濕法刻蝕。干法刻蝕主要利用反應氣體與等離子體進行刻蝕；濕法刻蝕主要利用化學試劑與被刻蝕材料發生化學反應進行刻蝕。中慧芯掌握離子束刻蝕（IBE）、深硅刻
鍍膜是一種常用的表面處理工藝，一般是在真空環境下，將某種金屬或非金屬以氣相的形式沉積到材料表面，形成一層致密的薄膜，鍍膜質量對半導體器件的功能形成至關重要。中慧芯掌握電子束蒸發、磁控濺射、LPCVD、PECVD、原子層沉積等多種鍍膜技術。鍍膜材料·金屬Ti、Al、Ni、Au、Ag、Cr、Pt、Cu、TiW90、Pd、Zn、Mo、W、Ta 、
光刻工藝是半導體器件制造工藝中的一個重要步驟，該步驟利用曝光和顯影在光刻膠層上刻畫幾何圖形結構，然后通過刻蝕工藝將光掩模上的圖形轉移到所在襯底上。這里所說的襯底不僅包含硅晶圓，還可以是其他金屬層、介質層，例如玻璃、SOS中的藍寶石。中慧芯掌握接觸式光刻、步進式光刻、電子束光刻等多種光刻技術。應用材料·硅
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